Предложена модификация существующей теории заряженных дислокаций, позволяющая учесть наличие в запрещенной зоне полупроводника нескольких дискретных электронных уровней дислокационного происхождения. Изучены равновесные характеристики полупроводника с заряженными дислокациями в условиях, когда электронный спектр на дислокациях содержит несколько уровней. Построена система кинетических уравнений, позволяющая описывать кинетику заполнения заряженных дислокаций в условиях, приближенных к реальным, т. е. с учетом сложности электронного спектра, влияния на кинетику деформационного потенциала и т. д. Исследовано решение предложенных уравнений в линейном приближении при наличии в электронном спектре двух дискретных уровней.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.