Впервые исследованы структура, электронные и оптические свойства аморфного CuCr₂Se₄. В структуре обнаружены кластеры двух основных типов с тенденцией к кристаллоподобной упаковке атомов. Доля объема, занимаемого кластерами, может изменяться при отжиге от 7 до 30%. Температурная зависимость электропроводности sigma в интервале 4.2-300 K определяется прыжковой проводимостью с переменной длиной прыжка и связывается с наличием зоны 3d-состояний хрома, перекрывающейся с валентной зоной. При радиусе локализации волновой функции a~=1.2 Angstrem, найденном из зависимости sigma от напряженности электрического поля при T=4.2 K, и ширине зоны 3d-состояний deltavarepsilon=0.1 эВ объемная плотность локализованных состояний равна 8.7·10²⁰ см^-3, что совпадает с концентрацией дырок в кристаллическом материале. Оптическая ширина запрещенной зоны в аморфном CuCr₂Se₄ E₀=0.55 эВ. Предложена модель плотности состояний.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.