Рассмотрено влияние процесса рекомбинации электронно-дырочных пар через ян-теллеровский центр Cu_Ga в GaAs на степень его выстраивания в условиях давления P вдоль оси [001]. Показано, что увеличение темпа рекомбинации может привести к уменьшению степени выстраивания центров, которое проявляется в уменьшении поляризации фотолюминесценции с увеличением интенсивности возбуждающего света. Этот эффект обнаружен и экспериментально исследован в p-GaAs при температуре ~2 K. На основании анализа результатов эксперимента установлено, что постоянная времени выстраивания центров составляет (2-40)·10^-5 с при P=0 и уменьшается с увеличением P до ~600 бар приблизительно на два порядка.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.