Методом оптической спектрометрии с временным разрешением изучено влияние плотности потока энергии импульсного электронного пучка (0.25 мэВ; 10 нc) в диапазоне значений P=(4·10⁵/8·10⁷) Вт·см^-2 на эффективность образования центров окраски в кристалле КСl. Показано, что при 295 K число создаваемых за импульс F-центров изменяется прямо пропорционально P; выход F-центров в расчете на одну (e^--p⁺) пару определен равным eta_F=0.13±0. 02. При 80 K обнаружено снижение выхода F-центров с ростом P от 0.06±0.015 при P=2·10⁶ Вт·см^-2 до 0.027±0.01 при P=6·10⁷ Вт·см^-2. Установлено, что спад eta_F с ростом P обусловлен подавлением процесса, создания коррелированных пар F- и H-центров при некотором увеличении выхода разделенных в пространстве дефектов. Предполагается, что причиной наблюдаемых в КСl при 80 K плотностных эффектов в дефектообразовании является конкуренция между "горячими" и релаксированными двух галоидными дырками в процессе рекомбинационного создания экситонов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.