В диапазоне энергий E= 1.87/5.70 МэВ измерены угловые распределения электронов, каналирующих вдоль (100) и (110) плоскостей 2 мкм монокристалла Si. Результаты сравниваются с численными расчетами, проведенными в 31-волновом приближении квантовой теории каналирования. Получено согласующееся с экспериментом условие локализованности квантовых состоянии каналирования. Обнаружены и исследованы эффекты квантовой модуляции деканалирования электронов, подавления деканалирования при E>E_c, где E_c - критическая энергия электронов, подавления дифракции электронов при локализации состояний верхней заселенной зоны.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.