Вышедшие номера
Неустойчивость решетки кристалла селенида цинка, индуцированная 3d-примесями
Соколов В.И.1, Дубинин С.Ф.1, Гудков В.В.2,3, Лончаков А.Т.1
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2Российский государственный профессионально-педагогический университет, Екатеринбург, Россия
3Уральский государственный технический университет (УПИ), Екатеринбург, Россия
Email: visokolov@imp.uran.ru
Выставление онлайн: 20 августа 2008 г.

Экспериментальные результаты свидетельствуют, что в кристалле ZnSe со структурой цинковой обманки, легированном 3d-примесями, возникают наноразмерные сдвиговые смещения ионов тригонального (ZnSe : Ni, ZnSe : V) и тетрагонального (ZnSe : Cr) типов при температурах 300 и 120 K. При понижении температуры в диапазоне 100-4.2 K происходит размягчение сдвиговых упругих модулей, индуцированное 3d-примесями: C44 (ZnSe : Ni) и (C11-C12)/2 (ZnSe : Cr). В спектре комбинационного рассеяния света ZnSe : Ni при температурах 5 и 20 K появляется новый пик с частотой 90 cm-1. Работа поддержана грантами РФФИ (N 04-02-96094, 07-02-00910-a). PACS: 61.12.-q, 43.35.+d, 61.72.Vv, 62.20.Dc, 64.70.Kb