Методом численного моделирования исследовано движение дислокаций в неупорядоченных кристаллах с высоким пайерлсовским рельефом. Показано, что введение дефектов в кристалл стимулирует генерацию кинков на дислокации. Обнаружено, что в области слабых постоянных внешних напряжений происходит резкое падение подвижности кинков и, как следствие, падение подвижности дислокаций. Исследовано движение дислокаций в неупорядоченных кристаллах под действием импульсного внешнего напряжения. Показано, что подвижность дислокаций падает с увеличением частоты импульсов при постоянной скважности и с увеличением скважности при постоянной частоте. Результаты моделирования сопоставлены с результатами аналитических расчетов и данными реальных экспериментов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.