Впервые установлено, что в кристаллах, обладающих спонтанной поляризацией, дислокации определенных типов имеют собственный электрический заряд. Выведена формула, позволяющая рассчитать линейную плотность заряда произвольной дислокации в сегнетоэлектрике, и показано, что для краевых дислокаций эта плотность может достигать значительных величин. Предсказан и теоретически описан ряд физических эффектов, связанных с движением заряженных дислокаций в сегнетоэлектриках.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.