Вышедшие номера
О сегнетоэлектрическом фазовом переходе в политипах кристаллов beta-TlInS2
Боровой Н.А.1, Гололобов Ю.П.2, Горб А.Н.1, Исаенко Г.Л.2
1Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
2Национальный транспортный университет, Киев, Украина
Email: gololo@ukr.net
Поступила в редакцию: 19 декабря 2007 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2008 г.

В интервале температур T=160-250 K проведены измерения диэлектрической проницаемости и рентгенографические исследования политипов c и 2c кристаллов beta-TlInS2. Обнаружены существенные отличия в температурном положении, последовательности и характере структурных фазовых переходов, связаных с образованием в этих политипах несоразмерно модулированных структур и возникновением сегнетоэлектрического состояния. PACS: 07.85.Jy, 77.80.Bh