Исследованы дифференциальная термоэдс, электрическое сопротивление (4.2 < T < 350 К) и магнитная восприимчивость (77 < T < 300 К) в образцах соединения EuCu_2-xSi_2+x, в котором эффективная валентность европия v_эф (T=300 К) изменяется в зависимости от состава от 2.62 до 2.0. При значении v_эф~ 2.16 (T=300 К) в EuCu_2-xSi_2+x, как и в ранее исследованной системе EuCu₂ (Si_xGe_1-x)₂, происходит резонансное рассеяние носителей заряда при T ~= 25 K и возникновение состояния типа концентрированной кондо-системы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.