Линейный фотогальванический эффект в p-GaAs в классической области частот
Берегулин Е.В., Ганичев С.Д., Глух К.Ю., Лянда-Геллер Ю.Б., Ярошецкий И.Д.
Выставление онлайн: 20 декабря 1988 г.
Обнаружен линейный фотогальванический эффект (ЛФГЭ) в классической и переходной области частот возбуждающего излучения (lambda=90/ 385 мкм). Показано, что фототок и коэффициент поглощения света не зависят от длины волны. Исследованы концентрационная и температурная зависимости фототока, проанализированы его механизмы. Возникновение ЛФГЭ в классической области эквивалентно появлению квадратичной электропроводности нецентросимметричных кристаллов в постоянном электрическом поле.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.