Построена теоретическая модель для описания кинетики горячих электронов в электрическом поле в бесщелевых полупроводниках типа HgTe и Cd_xHg_1-xTe при низких температурах решетки. Рост концентрации носителей при разогреве происходит за счет ударной ионизации, а рекомбинация частиц идет двумя путями: по механизму Оже и благодаря межзонным переходам с испусканием оптических фононов. Одновременно оптическое рассеяние является эффективным каналом релаксации энергии электронов. Учтена также энергорелаксация носителей посредством рассеяния на акустических фононах, важная при слабом разогреве. Релаксация импульса электронов осуществляется при рассеянии на заряженных примесях и дырках валентной зоны. Рассмотрение основано на уравнении Больцмана в приближении эффективной температуры. Результаты расчета хорошо согласуются с экспериментальными данными, полученными в HgTe.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.