Рассмотрены электронно-колебательные полосы поглощения света молекулярными кристаллами смешанной валентности, содержащими в качестве структурного элемента, решетки кластеры переходных металлов в различных степенях окисления. Расчет формы полосы поглощения в различных фазовых состояниях выполнен в полуклассическом приближении для кристалла, состоящего из трехэлектронных кластеров переходных металлов типа d¹-d². Полоса отличается от гауссовской, ее форма определяется параметрами двойного и гайзенберговского обмена и температурной зависимостью среднего дипольного момента, выступающего в роли параметра порядка. Температурная зависимость формы полос поглощения содержит информацию о параметрах вибронного взаимодействия и зарядовом упорядочении.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.