Для описания многофононной рекомбинации предложена система адиабатических потенциалов (термов), учитывающая симметрию примесного состояния и особенности зонной структуры полупроводника. В рамках этой модели проведены расчеты сечений многофононного захвата электронов и дырок и вероятностей их термической ионизации на примере глубокого акцепторного уровня симметрии T₂ в кремнии. Результаты расчетов сопоставлены с экспериментальными данными по захвату и термоионизации носителей с акцепторного уровня золота в Si.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.