Рентгенодифрактометрическое исследование нарушенных приповерхностных слоев Si(111) и In0.5Ga0.5P/GaAs(111) на основе модели постоянного градиента деформации
Лидер В.В., Чуковский Ф.Н., Хапачев Ю.П., Барашев М.Н.
Выставление онлайн: 19 марта 1989 г.
На основе модели кристалла с линейным изменением деформации в кинематическом случае получены приближенные выражения для определения градиента деформации, величины деформации на поверхности кристалла и толщины нарушенного слоя. Рентгенодифракционный эксперимент и расчеты указанных величин проведены для ряда образцов твердого раствора In0.5Ga0.5P и автоэпитаксиальных пленок кремния с диффузией бора.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.