Процессы фотовозбуждения и рекомбинаций в широкозонных диэлектриках в условиях рождения радиационных дефектов
Гарнов С.В., Епифанов А.С., Климентов С.М., Панов А.А., Шахвердиев Э.М.
Выставление онлайн: 19 апреля 1989 г.
Проведен теоретический анализ кинетической модели двухфотонного лазерного возбуждения неравновесных носителей в широкозонных диэлектриках с учетом процессов ионизации примесей, различных типов рекомбинации и рождения радиационных дефектов. Приводится сравнение с экспериментальными результатами по лазерной фотопроводимости щелочно-галоидных кристаллов.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.