Теоретически исследовано расширение оптически генерируемой вблизи поверхности полупроводника при низких температурах электронно-дырочной (ЭД) плазмы со сверхзвуковой скоростью. Показано, что вынужденное излучение фононов преимущественно инициирует сжатие, а не разогрев вырожденной плазмы. Установлена возможность замедления движения ЭД плазмы при увеличении интенсивности импульсного светового воздействия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.