Выделение из кристаллов LiF гелия, введенного различными методами
Клявин О.В., Мамырин Б.А., Хабарин Л.В., Чернов Ю.М., Юденич В.С.
Выставление онлайн: 19 апреля 1989 г.
Изучены закономерности выделения 3Не и 4Не из кристаллов LiF, введенного в них различными методами: диффузией, пластической деформацией и облучением ионами гелия. Показано, что спектры выделения гелия имеют различный характер и зависят от метода его введения. При изотермическом и динамическом отжиге кристаллов LiF наиболее низкотемпературные ловушки гелия обнаруживаются при введении его методом пластической деформации (интервал температур его выделения 320-620 K). Далее следуют методы диффузии (320-1120 K) и облучения (750-970 K). По спектрам выделения гелия можно судить о механизмах его проникновения в кристаллы LiF.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.