Рассмотрено межзонное поглощение одной из компонент, частота которой omega₁, сильной бихроматической световой волны в полупроводнике в присутствии внешних однородных стационарных электрического и магнитного полей. Изложена общая методика расчета мощности поглощаемого излучения P(omega₁). Получены аналитические результаты для случая параллельной ориентации электрических полей волн, а также стационарных полей. Считается, что расстройка частот волн omega₁-omega₀ существенно превышает некоторую характерную частоту e²F₀F₁(2muhomega₀omega₁)^-1<<omega_0,1, определяемую частотами и амплитудами F_0,1 электрических световых нолей вместе с приведенной эффективной массой электронов и дырок mu. Исследована зависимость поглощаемой мощности от характеристик воли, чисел фотонов, участвующих в поглощении, напряженностей однородных электрического и магнитного полей и от зонных параметров полупроводника. Показано, что для данной области расстроек частот основное влияние однородного электрического поля заключается в коротковолновом смещении пиков нечетно-фотонных магнитопереходов, их размытии и длинноволновом смещении края вследствие межзонного тунелирования (эффект Франца-Келдыша).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.