Методом измерения интегрального диффузного рассеяния рентгеновских лучей на двухкристальном спектрометре в брэгговской геометрии исследованы микродефекты в монокристаллах GaAs, легированных Si. Установлено, что в кристаллах, легированных до уровня ~3·10¹⁸ ат·см^-3, основными микродефектами являются кластеры собственных междоузельных атомов размером 0.1-0.4 мкм. На линеаризованной угловой зависимости интенсивности диффузного рассеяния I монокристаллами GaAs, легированными Si до уровня выше 3·10¹⁸ ат·см^-3, обнаружены два излома и не наблюдавшийся ранее участок зависимости I~(Deltatheta)^-3, который связан с преобладанием в этих кристаллах дислокационных петель внедренного типа с радиусом ~0.5 мкм.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.