Зарегистрировано изменение спектров пропускания в области края фундаментального поглощения кристаллов GaSe (80 K) как при межзонном возбуждении образцов, так и при резонансном возбуждении экситонов импульсами перестраиваемого по частоте лазера. Спектры люминесценции кристаллов GaSe состоят из трех полос, связанных с излучательной рекомбинацией экситонов прямой зоны, с неупругим экситон-экситонным взаимодействием экситонов прямой зоны и экситон-экситонным взаимодействием экситонов прямой и непрямой зон. Анализ особенностей спектров люминесценции, пропускания, кинетики восстановления поглощения кристаллов после возбуждения позволил выделить в качестве основного процесса, приводящего к увеличению пропускания в экситонной области спектра, экситон-экситонное рассеяние при участии экситонов прямой и непрямой энергетических зон кристалла.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.