Изучено поведение диэлектрической проницаемости varepsilon' в несоразмерной (НС) фазе вблизи перехода в сегнетоэлектрическое состояние (T_c) в кристалле Sn₂P₂Se₆ и твердых растворов на его основе. Наблюдаемое размытие максимума varepsilon'(T) при T₆ в (Pb_ySn_1-y)₂P₂Se₆ связывается с существованием хаотического состояния, которое возникает в результате разрушения длиннопериодической структуры, обусловленного взаимодействием дефектов кристаллической решетки с НС волной поляризации. Показано, что при одновременном замещении Sn на Рb и Se на S в Sn₂P₂Se₆ НС фаза трансформируется в хаотическое состояние во всем температурном интервале ее существования.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.