Из спектров резонансного двухфотонного поглощения и гиперкомбинационного рассеяния через биэкситонное состояние определены энергия образования биэкситонов в кристаллах 2H- и 4H-РbI₂. Оценена сила осциллятора экситон-биэкситонного перехода в 2H-РbI₂, а также измерены параметры поляритонной дисперсии в 4H-РbI₂. Обнаружена генерация сигнала вырожденного четырехволнового смешивания при участии двухфотонного резонанса на биэкситоне в 4H-РbI₂.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.