Методом рентгеновской Si L_2,3-эмиссионной спектроскопии (электронный переход 3d3s-> 2p) исследован эффект больших доз (ЭБД) в образцах кремния с проводимостью p- и n-типа, имплантированных ионами Fe⁺ в стационарном сканирующем режиме (энергия имплантации 100 keV, плотность ионного тока 0.6-0.8 muA/cm², дозы облучения от 10¹⁴ до 10¹⁶ ions/cm²). Выполнен анализ Si L-спектров посредством их сравнения со спектрами эталонов, проведено сопоставление с рентгеновскими спектральными данными по импульсной имплантации ионами Fe⁺, а также их моделирование методом молекулярной динамики и полнопотенциальным методом присоединенных плоских волн (FLAPW). В результате установлены особенности проявления ЭБД при стационарном режиме внедрения ионов Fe⁺ в полупроводниковую кристаллическую матрицу, которые заключаются в более сильном разупорядочении структуры и частичной аморфизации образца от поверхности в объем по сравнению с импульсным ионным воздействием, однако рекристаллизация образца при достижении пороговой дозы облучения практически отсутствует. Обсуждаются наиболее вероятные причины и механизмы такого проявления ЭБД в исследованных образцах. Работа выполнена при поддержке проектов РФФИ (гранты N 05-02-16438 и 05-02-16448), гранта Минобразования - CRDF: Annex BF4M05, EK-005-X2 [REC-005], BRHE 2004 post-doctoral fellowship award Y2-EP-05-11, а также Совета по грантам Президента РФ для ведущих научных школ (грант НШ-4192.2006.2). PACS: 71.20.Nr, 71.20.-b

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.