В рамках приближения хаотических фаз с использованием метода функции Грина проведено исследование спектра и затухания плазменных колебаний в бесщелевых полупроводниках с линейным (нейтриноподобным) законом дисперсии электронов. Показано, что концентрационная и температурная зависимости параметров спектра плазмонов в этих полупроводниках существенно отличаются от соответствующих зависимостей в обычных полупроводниках с конечной шириной запрещенной зоны. Установлено, что независимо от температуры частота рассматриваемых колебаний лежит выше порога бесстолкновительного затухания Ландау. Вычислено столкновительное затухание плазмонов, обусловленное рассеянием на случайно расположенных дефектах решетки, и показано, что при низких температурах коэффициент затухания мал по сравнению с частотой плазмонов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.