В условиях умеренно высоких интенсивностей возбуждения (10³-10⁴ Вт/см²) и гелиевых температур исследованы спектры экситонно-примесной люминесценции кристаллов сульфида кадмия. Установлено, что при повышении плотности возбуждения линии излучения экситонов, связанных на нейтральных акцепторах, сохраняются в спектре во всем исследованном интервале возбуждений, в то время как линии излучения экситонов, связанных на нейтральных донорах (I₂), испытывают сильное гашение. Такое поведение линий экситонно-примесной люминесценции обусловлено различной электронной структурой комплексов A⁰x и D⁰x. Гашение линии I₂ объясняется оже-распадом возбужденного состояния комплекса D⁰x, которое заселяется в процессах столкновений свободных экситонов с комплексом D⁰x. Разработана теоретическая модель явления. Получено хорошее согласие модельных расчетов с экспериментальными данными. Отмечается, что индуцированный экситонными ударами оже-распад комплекса D⁰x может играть существенную роль в процессе саморазогрева плотного экситонного газа.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.