Применительно к кристаллам MgO, где диполи являются доминирующим типом дислокационных конструкций при деформировании сжатием в широком интервале температур, с помощью метода моделирования на ЭВМ процесса прохождения гибкой дислокации через ансамбли диполей различной плотности исследовалась функциональная зависимость напряжения течения от плотности диполей. При плотностях диполей, меньших некоторой величины rho^*, действие диполей оказывается аналогичным действию точечных препятствий (сосредоточенных сил): tau~sqrt(rho)sqrt. При rho>rho^* при оценке вклада диполей в упрочнение необходимо учитывать тонкую структуру поля напряжений диполя. В этом случае tau оказывается пропорциональным rho.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.