Исследованы температурные зависимости интенсивности упругого рассеяния света вблизи точки Кюри в кристалле ТГС с малой концентрацией примеси Ni²⁺ (образующей в структуре ТГС заряженный комплекс), а также с примесями Сr³⁺, Fe³⁺ (образующими незаряженные неполярные комплексы) и Cu²⁺ (образующей незаряженный неполярный комплекс). Только в образце ТГС : Ni²⁺ ниже точки фазового перехода было обнаружено сильное рассеяние на несмещенной частоте, интенсивность которого обладала необычной температурной зависимостью. В теоретической части работы рассмотрено рассеяние 1-го порядка на точечных заряженных дефектах в одноосном сегнетоэлектрике. Оказалось, что такое рассеяние обладает специфической анизотропией, зависящей от температуры, и существенно превосходит по величине аналогичное рассеяние на полярных дефектах. Выводы теории находятся в хорошем согласии с экспериментом.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.