В кристаллах 6HSiC n-типа при T=4.5 K проведены исследования линий поглощения R₀₁S₀₁, R₀₂S₀₂, R₀₃S₀₃, обусловленных возбуждением экситонов, связанных с нейтральными неэквивалентными донорами (азотом), при одноосной деформации сжатия вдоль различных кристаллофизических осей. Однозначно установлено, что линии R₀₃S₀₃ обусловлены возбуждением экситонов, связанных с нейтральными донорами, в состав которых входят дырки из нижней, кристаллически отщепленной валентной зоны C. Определена симметрия валентных зон в 6HSiC: Gamma₉ (А), Gamma₈ (В), Gamma₈ (С) и получено пять констант тензора деформационного потенциала.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.