Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электрические свойства био-SiC и Si, составляющих биоморфный композит SiC/Si
Орлова Т.С.1, Ильин Д.В.1, Смирнов Б.И.1, Смирнов И.А.1, Sepulveda R.2, Martinez-Fernandez J.2, de Arellano-Lopez A.R.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Universidad de Sevilla, Sevilla, Spain
2Universidad de Sevilla, Sevilla, Spain
Email: orlova.t@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 19 мая 2006 г.
Выставление онлайн: 20 января 2007 г.
В интервале температур 5-100 K измерено удельное электросопротивление rho био-SiC - высокопористого материала с канальным расположением пор, полученного из биоморфного композита SiC/Si на основе дерева белого эвкалипта путем химического удаления из него кремния. Обнаружена анизотропия электросопротивления био-SiC в направлениях вдоль и поперек канальных пор. Произведены оценки энергий активации переноса заряда в био-SiC. На основании измеренных значений rho для композита SiC/Si и био-SiC определены величина rho и концентрация носителей тока в кремнии, являющимся одной из составляющих композита. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 04-03-33183), программы Президиума РАН (П-03) и Министерства науки и технологии Испании (проект МАТ 2003-05202-С02-01). PACS: 61.82.Ms, 81.05. Mh
- A.R. de Arellano-Lopez, J. Martinez-Fernandez, P. Gonzalez, C. Dominguez, V. Fernandez-Quero, M. Singh. Int. J. Appl. Cer. Technol. 1, 1 (2004)
- J. Martinez-Fernandez, F.M. Varela-Feria, M. Singh. Scripta Mater. 43, 813 (2000)
- M. Singh, D.R. Rehrendt. J. Mater. Res. 9, 1701 (1994)
- M. Singh, D.R. Rehrendt. Mater. Sci. Eng. A 194, 193 (1995)
- J. Martinez-Fernandez, A. Munoz, A.R. de Arellano-Lopez, F.M. Varela-Feria, A. Dominguez-Rodriguez, M. Singh. Acta Mater. 51, 3259 (2003)
- Б.И. Смирнов, Ю.А. Буренков, Б.К. Кардашев, F.M. Varela-Feria, J. Martinez-Fernandez, A.R. de Arellano-Lopez. ФТТ 45, 456 (2003)
- T.S. Orlova, B.I. Smirnov, A.R. de Arellano-Lopez, J. Martinez-Fernandez, R. Sepulveda. ФТТ 47, 229 (2005)
- Л.С. Парфеньева, Т.С. Орлова, Н.Ф. Картенко, Н.В. Шаренкова, Б.И. Смирнов, И.А. Смирнов, Y. Misiorek, A. Jezowski, F.M. Varela-Feria, J. Martinez-Fernandez, A.R. de Arellano-Lopez. ФТТ 47, 1175 (2005)
- Л.С. Парфеньева, Т.С. Орлова, Б.И. Смирнов, И.А. Смирнов, H. Misiorek, J. Mucha, A. Jezowski, A.R. de Arellano-Lopez, J. Martinez-Fernandez, F.M. Varela-Feria. ФТТ 48, 2163 (2006)
- А.И. Шелых, Б.И. Смирнов, Т.С. Орлова, И.А. Смирнов, A.R. de Arellano-Lopez, J. Martinez-Fernandez, F.M. Varela-Feria. ФТТ 48, 214 (2006)
- H. Robbins, B. Schwartz, J. Electrochemical Society 106, 505 (1959)
- F.M. Varela-Feria. Ph. D. Thesis. Universidad de Seville (2004)
- А.А. Лебедева, А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов. ФТП 34, 113 (2000)
- Э.А. Бельская, А.С. Тарабанов. В сб.: Теплофизические свойства твердых тел. Наук. думка, Киев (1971). С. 111
- Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник / Под ред. А.В. Новоселовой, В.Б. Лазарева. Наука, М. (1978). 339 с
- G. Pensil, W.J. Choyke. Physica B 185, 264 (1993)
- С.С. Шалыт. Электропроводность полупроводников. В. 1-2. ЛДНТП, ИПАН АН СССР, Л. (1956). 96 с
- Л.С. Парфеньева, Б.И. Смирнов, И.А. Смирнов, H. Misiorek, J. Mucha, A. Jezowski, A.R. de Arellano-Lopez, J. Martinez-Fernandez, R. Sepulveda. ФТТ 49, 204 (2007)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
