Вышедшие номера
Электронная структура, ИК- и рамановские спектры полупроводниковых кластеров C24, B12N12, Si12C12, Zn12O12, Ga12N12
Покропивный В.В.1, Овсянникова Л.И.1
1Институт проблем материаловедения Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: avilon@ipms.kiev.ua
Поступила в редакцию: 27 февраля 2006 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2007 г.

Ab initio методом Хартри-Фока в базисе 6-31G рассчитаны оптимизированная конфигурация, электронная структура, перенос заряда, запрещенная щель, полная энергия, энергия когезии, карты электронной плотности, ИК- и рамановские спектры и соответствующие им моды собственных акустических колебаний кластеров C24, B12N12, Si12C12, Zn12O12, Ga12N12. Работа выполнена в соответствии с Государственной целевой программой Ц2-02. PACS: 73.22.-f, 78.30.Fs