Вышедшие номера
Влияние давления на электронную структуру купратов в режиме сильных электронных корреляций
Гавричков В.А.1, Овчинников С.Г.1, Ульм Г.В.1
1Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Email: gav@iph.krasn.ru
Поступила в редакцию: 22 августа 2006 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2007 г.

Исследуются эффекты давления в электронной структуре CuO2 слоя для купратов n- и p-типов. Для расчета был использован обобщенный метод сильной связи, учитывающий влияние сильных электронных корреляций на электронную структуру купратов. Результаты исследования свидетельствуют о наличии нетривиальной зависимости от давления самой природы квазичастичных состояний на потолке валентной зоны в купратах p-типа. С ростом давления дырочные состояния в этих материалах уже не являются синглетными состояниями Жайга-Райса, а приобретают комбинированный синглетно-триплетный характер. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант N 06-02-16100), а также в рамках программы Президиума РАН "Квантовая макрофизика" и комплексного интеграционного проекта СО РАН N 3.4. PACS: 74.62.Fj, 74.72.-h