Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Радиационное повреждение в алмазах при имплантации гелия
Хомич А.В.1, Хмельницкий Р.А.2, Дравин В.А.2, Гиппиус А.А.2, Заведеев Е.В.3, Власов И.И.3
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязинский филиал, Фрязино, Московская обл., Россия
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
Email: khomich@ms.ire.rssi.ru
Поступила в редакцию: 20 июня 2006 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2007 г.
Методами оптической спектроскопии и измерения объемного "вспухания" исследованы радиационное повреждение и процесс графитизации алмаза, имплантированного ионами гелия при температурах от 77 до 373 K. Установлено, что с ростом температуры имплантации уменьшается радиационное повреждение, что объясняется радиационно-стимулированным отжигом дефектов в процессе повреждения. Показано, что результат формирования графитизированного слоя определяется не дозой имплантации, а уровнем радиационного повреждения. Установлено, что чем ниже температура имплантации, тем при меньших температурах отжига формируется графитизированный слой. Продемонстрировано, что процессы отжига радиационных дефектов и формирования графитизированного слоя в алмазе продолжаются вплоть до температуры 1600oC. Работа поддержана РФФИ (гранты N 04-02-17060 и 05-02-08292). PACS: 61.72.Ww, 81.05.Uw
- M.S. Dresselhaus, R. Kalish. Ion implantation in diamond, graphite and related materials. Springer (1992). 202 p
- J.F. Prins. J. Phys. D: Appl. Phys. 34, 2089 (2001)
- C. Uzan-Saguy, C. Cytermann, R. Brener, V. Richter, M. Shaanan, R. Kalish. Appl. Phys. Lett. 67, 1194 (1995)
- J.F. Prins, T.E. Derry. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 166--167, 364 (2000)
- A.V. Khomich, V.I. Kovalev, E.V. Zavedeev, R.A. Khmelnitskiy, A.A. Gippius. Vacuum 78, 583 (2005)
- Д.Ф. Федосеев, Н.В. Новиков, А.С. Вишневский, И.Г. Теремецкая. Алмаз. Справочник. Наук. думка, Киев (1981). 78 с
- R. Kalish, A. Reznik, K.W. Nugent, S. Prawer. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 148, 626 (1999)
- J.F. Prins. Diam. Rel. Mater. 10, 463 (2001)
- J.D. Hunn, S.P. Withrow, C.W. White, D.M. Hembree, jr. Phys. Rev. B 52, 8106 (1995)
- J.O. Orwa, K.W. Nugent, D.N. Jamieson, S. Prawer. Phys. Rev. B 62, 5461 (2000)
- P.F. Lai, S. Prawer, L.A. Bursill. Diam. Rel. Mater. 10, 82 (2001)
- R.A. Khmelnitskiy, V.A. Dravin, A.A. Gippius. J. Chem. Vapor. Depos. 5, 121 (1996)
- J.F. Prins. J. Phys. D: Appl. Phys. 34, 3003 (2001)
- J.W. Steeds, T.J. Davis, S.J. Charles, J.M. Hayes, J.E. Butler. Diam. Rel. Mater. 8, 1847 (1999)
- M.E. Newton, B.A. Campbell, D.J. Twitchen, J.M. Baker, T.R. Anthony. Diam. Rel. Mater. 11, 618 (2002)
- P.A. Sullivan, R.A. Baragiola. J. Appl. Phys. 76, 4847 (1994)
- G. Davies, S.C. Lawson, A.T. Collins, A. Mainwood, S.J. Sharp. Phys. Rev. B 46, 13 157 (1992)
- E.A. Taft, H.R. Phillip. Phys. Rev. A 138, 197 (1965)
- J.M. Zhang, P.C. Eklund. J. Mater. Res. 2, 858 (1987)
- A. Reznik, V. Richter, R. Kalish. Diam. Rel. Mater. 7, 317 (1998).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
