Радиационное повреждение в алмазах при имплантации гелия
Хомич А.В.1, Хмельницкий Р.А.2, Дравин В.А.2, Гиппиус А.А.2, Заведеев Е.В.3, Власов И.И.3
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязинский филиал, Фрязино, Московская обл., Россия
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
Email: khomich@ms.ire.rssi.ru
Поступила в редакцию: 20 июня 2006 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2007 г.
Методами оптической спектроскопии и измерения объемного "вспухания" исследованы радиационное повреждение и процесс графитизации алмаза, имплантированного ионами гелия при температурах от 77 до 373 K. Установлено, что с ростом температуры имплантации уменьшается радиационное повреждение, что объясняется радиационно-стимулированным отжигом дефектов в процессе повреждения. Показано, что результат формирования графитизированного слоя определяется не дозой имплантации, а уровнем радиационного повреждения. Установлено, что чем ниже температура имплантации, тем при меньших температурах отжига формируется графитизированный слой. Продемонстрировано, что процессы отжига радиационных дефектов и формирования графитизированного слоя в алмазе продолжаются вплоть до температуры 1600oC. Работа поддержана РФФИ (гранты N 04-02-17060 и 05-02-08292). PACS: 61.72.Ww, 81.05.Uw
- M.S. Dresselhaus, R. Kalish. Ion implantation in diamond, graphite and related materials. Springer (1992). 202 p
- J.F. Prins. J. Phys. D: Appl. Phys. 34, 2089 (2001)
- C. Uzan-Saguy, C. Cytermann, R. Brener, V. Richter, M. Shaanan, R. Kalish. Appl. Phys. Lett. 67, 1194 (1995)
- J.F. Prins, T.E. Derry. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 166--167, 364 (2000)
- A.V. Khomich, V.I. Kovalev, E.V. Zavedeev, R.A. Khmelnitskiy, A.A. Gippius. Vacuum 78, 583 (2005)
- Д.Ф. Федосеев, Н.В. Новиков, А.С. Вишневский, И.Г. Теремецкая. Алмаз. Справочник. Наук. думка, Киев (1981). 78 с
- R. Kalish, A. Reznik, K.W. Nugent, S. Prawer. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 148, 626 (1999)
- J.F. Prins. Diam. Rel. Mater. 10, 463 (2001)
- J.D. Hunn, S.P. Withrow, C.W. White, D.M. Hembree, jr. Phys. Rev. B 52, 8106 (1995)
- J.O. Orwa, K.W. Nugent, D.N. Jamieson, S. Prawer. Phys. Rev. B 62, 5461 (2000)
- P.F. Lai, S. Prawer, L.A. Bursill. Diam. Rel. Mater. 10, 82 (2001)
- R.A. Khmelnitskiy, V.A. Dravin, A.A. Gippius. J. Chem. Vapor. Depos. 5, 121 (1996)
- J.F. Prins. J. Phys. D: Appl. Phys. 34, 3003 (2001)
- J.W. Steeds, T.J. Davis, S.J. Charles, J.M. Hayes, J.E. Butler. Diam. Rel. Mater. 8, 1847 (1999)
- M.E. Newton, B.A. Campbell, D.J. Twitchen, J.M. Baker, T.R. Anthony. Diam. Rel. Mater. 11, 618 (2002)
- P.A. Sullivan, R.A. Baragiola. J. Appl. Phys. 76, 4847 (1994)
- G. Davies, S.C. Lawson, A.T. Collins, A. Mainwood, S.J. Sharp. Phys. Rev. B 46, 13 157 (1992)
- E.A. Taft, H.R. Phillip. Phys. Rev. A 138, 197 (1965)
- J.M. Zhang, P.C. Eklund. J. Mater. Res. 2, 858 (1987)
- A. Reznik, V. Richter, R. Kalish. Diam. Rel. Mater. 7, 317 (1998).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.