Вышедшие номера
Влияние механизма роста и термоупругих напряжений на динамику кристаллической решетки гетероэпитаксиальных пленок титаната бария--стронция
Юзюк Ю.И.1, Захарченко И.Н.1, Алёшин В.А.1, Леонтьев И.Н.1, Рабкин Л.М.1, Мухортов В.М.2, Simon P.3
1Ростовский государственный университет, Ростов-на-Дону, Россия
2Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
3Centre de Recherches sur les Materiaux Haute Temperature, CNRS UPR, F Orleans, France
Email: yuzyuk@rambler.ru
Поступила в редакцию: 10 января 2007 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2007 г.

Гетероэпитаксиальные тонкие пленки твердых растворов Ba0.7Sr0.3TiO3 (BST-0.3) на монокристаллических подложках (001) MgO получены высокочастотным катодным распылением керамической мишени стехиометрического состава. Рентгенографическими методами определены параметры тетрагональной ячейки пленки в зависимости от условий синтеза и исследован температурный ход параметра c в интервале температур 293-520 K. В спектрах комбинационного рассеяния света наблюдалась E(TO) мягкая мода, частота которой коррелирует с величиной двумерных напряжений, возникающих в пленках. Показано, что двумерные напряжения в пленке определяются не только несоответствием параметров решетки пленки и подложки, различием их коэффициентов теплового расширения, но существенно зависят от механизма гетероэпитаксиальнго роста. Установлено, что при нагревании пленки фазовый переход осуществляется в тетрагональную параэлектрическую фазу вне зависимости от реализуемого механизма роста. Работа проводилась при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 05-02-17191 и 06-02-16271). PACS: 62.40.+i, 68.35.Rh