Экситон-поляритонное поглощение в периодических и разупорядоченных цепочках квантовых ям
Кособукин В.А.1, Поддубный А.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Vladimir.Kosobukin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 29 января 2007 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2007 г.
Теоретически исследовались экситон-поляритонный перенос и поглощение в регулярных и неупорядоченных структурах с конечным числом квантовых ям. Методом матриц переноса в области экситонных резонансов вычислялись спектры отражения, пропускания и поглощения, а также интегральное поглощение в зависимости от отношения gamma/Gamma0 параметров нерадиационного и радиационного затухания квазидвумерных экситонов. Показано, что интегральное поглощение как функция gamma (температуры) имеет универсальный вид: монотонно растет от нуля при gamma=0 и насыщается при gamma/Gamma0>> 1. Из-за одномодового характера экситон-поляритонного поглощения в брэгговских структурах с квантовыми ямами величина интегрального поглощения существенно меньше, чем в короткопериодных структурах, где поглощение связано со всей спектральной совокупностью мод. При наличии внутриямного беспорядка, связанного с флуктуациями частот возбуждения экситонов в ямах, интегральное поглощение существенно увеличивается до величины, характерной для поглощения света в отсутствие резонанса между экситонами разных квантовых ям. Междуямный беспорядок, который обусловлен флуктуациями расстояний между ямами, также приводит к увеличению интегрального поглощения. Работа выполнена по проекту РФФИ N 07-02-00053 и поддержана Фондом некоммерческих программ "Династия"-МЦФФМ. PACS: 71.35.Cc, 76.20.+q, 78.67.Pt
- А.С. Давыдов. Теория твердого тела. Наука, М. (1976). 639 с.; M. Crescenzi, G. Harbeke, E. Tosatti. Solid State Commun. 32, 777 (1979); Н.Н. Ахмедиев. ЖЭТФ 79, 1534 (1980); J.S. Nkoma. Phys. Stat. Sol. (b) 97, 657 (1980); G. Battaglia, A. Quattropani, P. Schwendimann. Phys. Rev. B 34, 8258 (1986)
- Ф.И. Крейнгольд, В.Л. Макаров. Письма в ЖЭТФ 20, 441 (1974); J. Voigt. Phys. Stat. Sol. (b) 64, 549 (1974); Н.Н. Ахмедиев, Г.П. Голубев, В.С. Днепровский, Е.А. Жуков. ФТТ 25, 2225 (1983); Г.Н. Алиев, О.С. Кощуг, Р.П. Сейсян. ФТТ 36, 373 (1994)
- R. Loudon. J. Phys. A 3, 233 (1970)
- V.A. Kosobukin, R.P. Seisyan, S.A. Vaganov. Semicond. Sci. Technol. 8, 1235 (1993)
- W.Z. Shen, S.C. Shen, W.G. Tang, S.M. Wang, T.G. Andersson. J. Appl. Phys. 78, 1178 (1995)
- G.N. Aliev, V.A. Kosobukin, N.V. Luk'yanova, M.M. Moiseeva, R.P. Seisyan, H. Gibbs, G. Khitrova. Inst. Phys. Conf. Ser. 155 (Ch. 2), 165 (1997)
- R.P. Seisyan, V.A. Kosobukin, S.A. Vaganov, M.S. Markosov, T.S. Shamirzaev, K.S. Zhuravlev, A.K. Bakarov, A.I. Toropov. Phys. Stat. Sol. (c) 2, 900 (2005)
- Р.П. Сейсян, В.А. Кособукин, М.С. Маркосов. ФТП 40, 1321 (2006)
- В.А. Кособукин, М.М. Моисеева. ФТТ 37, 3694 (1995)
- В.А. Кособукин. ФТТ 40, 824 (1998)
- V.A. Kosobukin. Phys. Stat. Sol. (b) 108, 271 (1998)
- Е.Л. Ивченко, А.И. Несвижский, С. Йорда. ФТТ 36, 2118 (1994)
- Y. Merle d'Aubigne, A. Wasiela, H. Mariette, T. Dietl. Phys. Rev. B 54, 14 003 (1996)
- Е.Л. Ивченко, В.П. Кочерешко, А.В. Платонов, Д.Р. Яковлев, А. Вааг, В. Оссау, Г. Ландвер. ФТТ 39, 2072 (1997)
- E.L. Ivchenko. Optical spectroscopy of semiconductor nanostructures. Alpha Science International, Harrow, U.K. (2005). 427 p
- E.L. Ivchenko, M.M. Voronov, M.V. Erementchouk, L.I. Deych, A.A. Lisyansky. Phys. Rev. B 70, 195 106 (2004)
- J.D. Joannopoulos, R.D. Meade, J.N. Winn. Photonic crystals. Molding the flow of light. Princeton University Press, Princeton (1995). 137 p
- В.А. Кособукин. ФТТ 45, 1091 (2003)
- Ю.Н. Демков, В.Н. Островский. Метод потенциалов нулевого радиуса в атомной физике. Изд-во ЛГУ, Л. (1975). 240 с
- R.L. Greene, K.K. Bajaj, D.E. Phelps. Phys. Rev. B 29, 1807 (1984)
- D.S. Citrin. Phys. Rev. B 47, 3832 (1993)
- И.М. Лифшиц, С.А. Гредескул, Л.А. Пастур. Введение в теорию неупорядоченных систем. Наука, М. (1982). 358 с
- М.Р. Владимирова, Е.Л. Ивченко, А.В. Кавокин. ФТП 32, 101 (1998)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронная теория легированных полупроводников. Наука, М. (1978)
- S. Rudin, T.L. Reinecke, B. Segall. Phys. Rev. B 42, 11 218 (1990)
- V. Srinivas, J. Hryniewicz, Y.J. Chen, C.E.C. Wood. Phys. Rev. B 46, 10 193 (1992)
- L.C. Andreani, G. Panzarini, A.V. Kavokin, M.R. Vladimirova. Phys. Rev. B 57, 4670 (1998)
- G. Malpuech, A. Kavokin. Semicond. Sci. Technol. 14, 1031 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.