Вышедшие номера
Сравнение эффективности пассивации поверхности GaAs из растворов сульфидов натрия и аммония
Бессолов В.Н.1, Коненкова Е.В.1, Лебедев М.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 апреля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.

Для выяснения возможности повышения эффективности как химической, так и электронной пассивации исследовались свойства поверхности GaAs, сульфидированной растворами неорганических сульфидов (Na2S и (NH4)2S ) в различных амфипротонных растворителях (вода, спирты). Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и фотолюминесценции показано, что эффективность как химической, так и электронной пассивации поверхности GaAs возрастает с уменьшением диэлектрической проницаемости используемого растворителя. Степень этого возрастания в растворах сульфида сильного основания (Na2S) выше, чем в растворах сульфида слабого основания ((NH4)2S ).