Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Переключения тока в бистабильных структурах: высоколегированный n+-поликремний--туннельно-прозрачный окисный слой--n-кремний
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 10 июня 1996 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1997 г.
В структурах высоколегированный n+-поликремний-туннельно-тонкий окисел-n-кремний наблюдается эффект переключения из состояния с режимом стационарного неравновесного обеднения и малой величиной протекающего тока во "включенное" состояние с большой величиной протекающего тока и малым падением напряжения на структуре. Структуры изготовлялись на подложках из n-кремния с удельным сопротивлением 25 Omega·cm. Переключение структуры с толщиной окисла 23 Angstrem может осуществляться как под действием импульса излучения при малой величине обратного смещения на структуре (50 V), так и в темновых условиях путем повышения обратного смещения до 250-300 V. Во "включенном" состоянии в качестве внутренного источника неосновных носителей, необходимого для компенсации туннельной утечки дырок в n+-поликремний и поддержания квазиравновесного инверсионного слоя дырок на границе n-Si-SiO2, выступает процесс Оже-генерации носителей.
- S.K. Lai, P.V. Dressendorfer, T.P. Ma, R.C. Barker. Appl. Phys. Lett. 38, 1, 41 (1981)
- E.R. Fossum, R.C. Barker. IEEE Trans. Electron Devices ED-31, 9, 1168 (1984)
- А.Я. Вуль, Т.Л. Макарова, В.Ю. Осипов, Ю.С. Зинчик, С.К. Бойцов. ФТП 26, 1, 111 (1992)
- С.К. Бойцов, В.Ю. Осипов. Микроэлектроника 24, 1, 13 (1995)
- С.К. Бойцов, В.Ю. Осипов, Т.Л. Макарова. Микроэлектроника 22, 5, 86 (1993)
- Е.В. Остроумова, А.А. Рогачев. ФТП 28, 8, 1411 (1994)
- А.Я. Вуль, А.Т. Дидейкин, С.К. Бойцов, Ю.С. Зинчик, А.В. Саченко. ФТП 26, 2, 295 (1992)
- С.К. Бойцов, А.Я. Вуль, В.Ю. Осипов, А.Т. Дидейкин, Ю.С. Зинчик, Т.Л. Макарова. ФТТ 33, 6, 1784 (1991)
- А.Я. Вуль, А.Т. Дидейкин, В.Ю. Осипов, С.К. Бойцов, Ю.С. Зинчик, Т.Л. Макарова. ФТП 26, 1, 146 (1992)
- С.К. Бойцов, Т.Л. Макарова, В.Ю. Осипов. ФТТ 34, 5, 1475 (1992)
- С.К. Бойцов, В.Ю. Осипов. Микроэлектроника 23, 3, 90 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
