Вышедшие номера
Дислокационное зондирование состояния дефектов решетки, возбужденных импульсом магнитного поля в ионных кристаллах
Головин Ю.И.1, Моргунов Р.Б.1, Жуликов С.Е.1, Киперман В.А.1, Лопатин Д.А.1
1Тамбовский государственный университет им. Г.Р. Державина, Тамбов, Россия
Поступила в редакцию: 17 июня 1996 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.

Приведены результаты исследования влияния импульсного магнитного поля на состояние линейных и точечных дефектов ионных кристаллов. При различных амплитудах (1-7 T) и длительностях импульса поля (3· 10-5-102 s) в интервале температур 77-400 K исследованы кинетика перехода дефектов в новое состояние и их релаксация после выключения поля. Установлено, что релаксация состояний точечных дефектов носит преимущественно рекомбинационный характер, а изменение состояний дислокаций и точечных дефектов вносит неаддитивный вклад в изменение подвижности дислокаций. Экспозиция кристалла в магнитном поле приводит к увеличению подвижности дислокаций при механическом нагружении образца и уменьшению их смещений под действием повторного импульса поля.