Вышедшие номера
Магнитосопротивление и эффект Холла магнитного полупроводника HgCr2Se4 в сильных магнитных полях
Солин Н.И.1, Чеботаев Н.М.1
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 12 ноября 1996 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1997 г.

В модели нескольких типов носителей заряда (дырки в валентной зоне, локализованные в примесных центрах типа ферронов электроны, гибридизованные в примесной зоне и зоне проводимости электроны) обсуждаются гигантское (более 200 раз) уменьшение электросопротивления HgCr2Se4 в магнитном поле, обусловленное изменениями подвижности и концентрации носителей заряда, квадратичные зависимости магнитосопротивления и нормальной постоянной Холла от магнитной индукции в парамагнитной области, а также отклонения от них при приближении к температуре Кюри.