Электронная структура и адсорбционные свойства системы Cs/O/W(110)
Андронов А.Н.1, Бенеманская Г.В.2, Дайнека Д.В.1, Франк-Каменецкая Г.Э.2
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 марта 1997 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1997 г.
Проведены сравнительные исследования адсорбционных систем Cs/O/W(110) и Cs/W(110). Методом пороговой фотоэмиссионной спектроскопии исследованы работа выхода и электронная структура в энергетической области вблизи уровня Ферми в зависимости от степени субмонослойного цезиевого покрытия. Обнаружено значительное увеличение насыщающего цезиевого покрытия на поверхности O/W(110). В электронном спектре системы Cs/O/W(110) обнаружена новая индуцированная адсорбцией поверхностная зона с энергией связи ~0.7 eV. При покрытиях около монослоя наблюдалась металлизация адсорбированного слоя. Показано, что электронная структура систем Cs/O/W(110) и Cs/W(110) аналогична при малых покрытиях. Различие в процессах адсорбции для этих двух систем проявляется при покрытиях, близких к монослою, что объясняется возникновением новых центров взаимодействия адатомов Cs на поверхности W(110) в присутствии кислорода.
- H.P. Bonzel, A.M. Bradshaw, G. Ertl. Physics and Chemistry of Alkali Metal Adsorption. Elsevier, Amsterdam (1989)
- H. Bludau, H. Over, T. Hertel, G. Ertl. Surf. Sci. 342, 134 (1995)
- J.M. Chen, C.A. Papageorgopoulos. Solid State Commun. 11, 999 (1972)
- У.В. Азизов, Т.А. Карабаев, Т.И. Михайлова, Х.М. Саттаров. Изв. АН СССР. Сер. физ. 40, 8, 1728 (1976)
- C.A. Papageorgopoulos, J.M. Chen. Surf. Sci. 52, 53 (1975)
- Б.М. Зыков, В.К. Цхая. ЖТФ. 49, 1700 (1979)
- B.E. Evans, L.W. Swanson, A.E. Bell. Surf. Sci. 11. 1 (1968)
- T. Kiroda, H. Yagi, S. Nakamura. Mem. Inst. Sci. Ind. Res. (Osaka Univ.) 26, 1, 87 (1969)
- И.М. Бронштейн, И.И. Хинич, В.И. Гольдреер. XXIX Герцен. чтения ЛГПИ (1976). С. 4
- G. Treglia, M.C. Desjonqueres, D. Spanjaard, Y. Lassailly, C. Guillot, Y. Jugnev, Tran Minh Duc, J. Lecaante. J. Phys. C14, 3463 (1981)
- Г.В. Бенеманская, М.Н. Лапушкин, М.И. Урбах. ЖЭТФ 102, 1664 (1992)
- G.V. Benemanskaya, M.N. Lapushkin, M.I. Urbakh. Phys. Low-Dim. Struct. 4/5, 13 (1994)
- A. Liebsch, G.V. Benemanskaya, M.N. Lapushkin. Surf. Sci. 302, 303 (1994)
- J. Anderson, W.E. Danforth. J. Franklin Instr. 279, 160 (1965)
- J.A. Becker, E.J. Becker, R.L. Brandes. J. Appl. Phys. 32, 411 (1962)
- A.I. Babanin, A.A. Lavrent'ev. Wide Baud Gap Electronic Materials / Ed. M.Prelas (1995). P. 437
- A.G. Fedorus, A.G. Naumovets. Surf. Sci. 21, 426 (1975)
- M. Blaszczyszyn. Surf. Sci. 59, 533 (1976)
- P. Soukiassian, R. Riwan, J. Lecante. Phys. Rev. B31, 4911 (1985)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.