Термоэдс в квазидвумерных системах при рассеянии носителей тока на фононах
Аскеров Б.М.1, Гулиев Б.И.1, Фигарова С.Р.1, Гадирова И.Р.1
1Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 1 апреля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.
Исследована термоэдс alpha в электронных системах с квазидвумерным энергетическим спектром в приближении тензора времени релаксации. Вычислены продольная и поперечная компоненты термоэдс при рассеянии носителей тока на фононах различного типа. Показано, что анизотропия термоэдс в таких системах существенна. Рассмотрена зависимость alpha от соотношения между энергией Ферми varepsilonF и полушириной одномерной зоны проводимости varepsilon0. При рассеянии на акустических и неполярных оптических фононах происходит изменение знака термоэдс: alpha становится положительной при varepsilonF<varepsilon0. Сравнение теории с имеющимися в литературе экспериментальными данными показывает хорошее количественное согласие.
- Y. Kurihara. J. Phys. Soc. Jap. 61, 975 (1992)
- Proc. Int. Conf. on Layered Materials and Intercalates (Nijmegen, 1979). Physica B--C 99, 176 (1980)
- M. Inoue, S. Chara, S. Horisana, M. Koyano, H. Negishi. Phys. Stat. Sol. (b) 2, 148, 659 (1988)
- B.M. Askerov, B.I. Kuliev, S.R. Figarova, I.R. Gadirova. J. Phys.: Condens. Matter 7, 843 (1995)
- R.C. Fivaz. Nuovo Cimento 63B, 10 (1969)
- B.M. Askerov. Electron Transport Phenomena in Semiconductors. World Scientific, Singapore (1994). 394 p
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.