Вышедшие номера
Радиационно-индуцированная проводимость кристаллов alpha-Al2O3
Адуев Б.П.1, Алукер Э.Д.1, Швайко В.Н.1
1Кемеровский государственный университет, Кемерово, Россия
Поступила в редакцию: 15 мая 1997 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1997 г.

Исследована радиационно-индуцированная проводимость кристаллов alpha-Al2O3 при возбуждении субнаносекундными импульсами электронного ускорителя. Обнаружено не менее трех компонентов релаксации тока проводимости. Компонента тока проводимости, безынерционно следующего зи импульсом возбуждения, не наблюдается, как, например, в кристаллах NaCl, KCl. Далее следует субнаносекундный спад, не описывающийся простым законом, а за ним в пределах чувствительности аппаратуры наблюдаются по крайней мере еще две составляющие релаксации тока проводимости в наносекундном диапазоне. Предполагается, что наблюдаемые компоненты релаксации тока проводимости, включая самый быстрый, обусловлены термическим освобождением носителей из ловушек и последующим перераспределением между ними, а также что второй и третий компоненты импульса тока проводимости, по-видимому, связаны с электронами.