Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Кинетика формирования дискретных наноструктур в процессе вакуумной конденсации из однокомпонентного пара
Иевлев В.М.1, Шведов Е.В.1
1Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия 
Email: karl12@yandex.ru
Поступила в редакцию: 5 апреля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2005 г.
Методом численного решения системы кинетических уравнений исследуется кинетика кластерообразования в процессе вакуумной конденсации тонких пленок. Получены графики распределения по размерам кластеров от единиц до нескольких сотен атомов. В координатах температура-скорость конденсации определены области преимущественного зарождения на активных центрах - точечных дефектах кристаллической подложки - и статистического зарождения и показана возможность разделения областей псевдослоевого и трехмерного (шероховатого) роста. Показано, что причиной экспериментально наблюдаемой двухмодальности распределения островков по размерам может быть различие в скоростях роста кластеров на стадии, предшествующей коалесценции. Работа поддержана грантом Министерства образования и науки РФ "Ведущие научно-педагогические коллективы". PACS: 68.03.Fg, 68.03.Hj
- G. Zinsmeister. Jap. J. Appl. Phys. 2, 1, 545 (1974)
- Г.Дж. Цинсмайстер. В кн.: Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Наука, Новосибирск (1975). Ч. 1. С. 11
- J.A. Venables. Phil. Mag. 27, 697 (1973)
- J.A. Venables. Phys. Rev. B 36, 4153 (1987)
- M.C. Bartelt, M.C. Tringides, J.W. Evans. Phys. Rev. B 47, 13 891 (1993)
- G.S. Bales, D.C. Chrzan. Phys. Rev. B 50, 6057 (1994)
- M.C. Bartelt, S. Gunther, E. Kopatzki, R.J. Behm. Phys. Rev. B 53, 4099 (1996)
- M.C. Bartelt, C.R. Stoldt, C.J. Jenks, P.A. Thiel, J.W. Evans. Phys. Rev. B 59, 3125 (1999)
- Е.В. Шведов, Д.Е. Андрусевич. Вестн. ВГТУ. Материаловедение 1.3, 93 (1998)
- V.M. Ievlev, E.V. Shvedov, D.E. Andrusevitch. Phys. Low-Dim. Struct. 11/12, 107 (1999)
- В.М. Иевлев, Д.В. Москалев, Е.В. Шведов. Вестн. ВГТУ. Материаловедение 1.13, 65 (2002)
- А.А. Сокол, В.М. Косевич. Кристаллография 14, 527 (1969)
- В.И. Трофимов, А.Е. Чалых, Э.И. Евко. ФТТ 13, 334 (1971)
- В.М. Косевич, Л.С. Палатник, А.А. Сокол, П.П. Архипов. ДАН СССР 180, 3, 586 (1968)
- R. Ueda, T. Inuzuka. Cryst. Growth 6, 79 (1971)
- В.С. Постников, В.М. Иевлев, В.А. Аммер, Е.В. Шведов. В сб.: Ядерно-радиационная физика и технология. Тула (1976). С. 69
- В.М. Иевлев, Е.В. Шведов, Д.Е. Андрусевич. В сб.: Тонкие пленки в оптике и электронике. Харьков (2002). Ч. 1. С. 23
- В.И. Трофимов, В.А. Осадченко. Рост и морфология тонких пленок. Энергоатомиздат. М. (1993)
- В.И. Трофимов. В сб.: Активная поверхность твердых тел. М. (1976). С. 196
- A. Menck, H. Brune, J.V. Barth, J.A. Venables, K. Kern. Phys. Rev. B 61, 1105 (2000)
- A.J. Donohoe, J.L. Robins. Cryst. Growth 17, 70 (1972)
- J.L. Robins, A.J. Donohoe. Thin Solid Films 12, 255 (1972)
- H. Schmeisser, H. Harsdorff. Z. Naturforsch. 25a, 1896 (1970)
- W.L. Morris, R.L. Hines. Appl. Phys. 41, 2231 (1970)
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН 168, 10, 1083 (1998)
- В.М. Иевлев, Е.В. Шведов. ФТТ 20, 3, 809 (1978)
- Е.В. Шведов. Вестн. ВГТУ. Материаловедение 1.1, 158 (1996)
- Е.В. Шведов, В.В. Нечаев. Изв. РАН. Сер. физ. 61, 5, 959 (1997)
- J.G. Skofronick, W.B. Phillips. Appl. Phys. 38, 12, 4791 (1967)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
