Методом рентгеновской эмиссионной Si L_2,3 (электронный переход 3d3s->2p) спектроскопии исследованы образцы кремния p- и n-типа, имплантированные ионами Fe⁺ в импульсном режиме (энергия имплантации 30 keV, ток в импульсе до 0.5 A, длительность импульса 400 mus, дозы облучения от 10¹⁴ до 10¹⁷ cm^-2). Установлена зависимость рентгеновских эмиссионных спектров как от доз ионного облучения, так и от ускоряющего напряжения электронного пучка, используемого при рентгеновских измерениях. Анализ Si L-спектров посредством сравнения со спектрами эталонов и их моделирование показали, что с увеличением дозы облучения имеет место разупорядочение структуры, частичная аморфизация образца от поверхности в объем вплоть до глубины ~ 7200 Angstrem и его последующая рекристаллизация (эффект больших доз). Показано, что обнаруженный эффект наиболее сильно выражен в слоях на глубине ~ 1000 Angstrem, не связан с формированием в объеме образцов силицида железа FeSi, и, вероятнее всего, обусловлен нарушениями связей Si-Si в процессе ионной имплантации при использванных дозах облучения. Работа выполнена при поддержке проектов Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 05-02-16438 и 05-02-16448), гранта Минобразования - CRDF: Annex BF4M05, EK-005-X2 [REC-005], BRHE 2004 post-doctoral fellowship award Y2-EP-05-11, а также Совета по грантам Президента РФ для ведущих научных школ (грант НШ-1026.2003.2). PACS: 61.10.Ht, 61.72.Tt

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.