Вышедшие номера
Температурное поведение тонкой структуры C- и E-полос поглощения в RbMnF3 ниже температуры Нееля
Малаховский А.В.1, Морозова Т.П.2
1Bar-Ilan University, Department of Chemistry, Ramat-Gan, Israel
2Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Email: ise@iph.krasn.ru
Поступила в редакцию: 3 февраля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

Изучено температурное поведение параметров (ширина, положение, интенсивность) компонент тонкой структуры C [6A1g->4A1g,4Eg(4G)]- и E [6A1g->4Eg(4D)]-полос в RbMnF3 в интервале температур 10-70 K. B C-полосе выделены две узкие (<6 cm-1) линии на расстоянии 77 и 80 cm-1 от экситонной линии (при T=10 K). Остальные линии в C-полосе и все линии в E-полосе имеют ширину >20 cm-1. Показано, что узкие линии разрешены обменным механизмом в модели дальнего магнитного порядка и обусловлены возбуждением связанных состояний экситона и магнона, а остальные линии разрешены обменно-вибронным механизмом в модели ближнего магнитного порядка и обусловлены возбуждением связанных состояний экситона, магнона и фонона (фононы нечетные). Колебательные повторения основных экситон-магнон-фононных линий обусловлены квадратичным вибронным взаимодействием с нечетными колебаниями. Температурное поведение интенсивности и ширины линий поглощения свидетельствует о влиянии релаксации и делокализации связанных состояний на эти параметры. PACS: 78.20.-e, 78.40.Ha, 75.50.Ee