Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Генерация дислокаций в варизонных гетеросистемах CdTe/CdHgTe на начальных стадиях эпитаксиального роста
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
2Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
Email: zvlas@isp.kiev.ua
Поступила в редакцию: 24 февраля 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.
На основе сопоставления данных микроскопических исследований, исследований состава и микротвердости показано, что в эпитаксиальных варизонных гетеросистемах CdTe/CdHdTe существует развитая система массивов дислокаций различного происхождения (прорастающих, несоответствия, на границах сращивания трехмерных островков и др.) с наклонными и параллельными границе раздела сегментами. Обнаружено неравномерное по толщине гетеросистемы увеличение микротвердости, коррелирующее в эпитаксиальном слое с распределением плотности дислокаций. PACS: 61.72.Ff, 62.20.Qp
- Физика соединений A2B6 / Под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана. Наука, М. (1986). 320 с
- I.V. Kurilo, I.O. Rudyj, O.I. Vlasenko. J. Cryst. Growth 204, 4, 447 (1999)
- O.I. Vlasenko, V.N. Babentsov, Z.K. Vlasenko, V.V. Kremenitskiy, A.V. Ponedilok, I.A. Rudoy. Proc. Int. Conf. on Optical Diagnostics of Materials and Devices for Opto-, Micro-, and Quantum Electronics (OPTDIM'97). Kiev, Ukraine. SPIE 3359, 449 (1997)
- М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структурные дефекы в эпитаксиальных слоях полупроводников. Металлургия, М. (1985). 160 с
- И.П. Калинкин, В.Б. Алесковский, А.В. Симашкевич. Эпитаксиальные пленки соединений AIIBVI. Изд-во ЛГУ, Л. (1978). 310 с
- И.А. Рудый, И.В. Курило, И.С. Вирт, А.И. Власенко, М.С. Фружинский. Тез. докл. IX Нац. конф. по росту кристаллов (НКРК=2000). М. (2000). С. 252
- O.N. Tufte, E.L. Stelzer, J. Appl. Phys. 40, 11, 4559 (1969)
- И.В. Курило, И.А. Рудый, А.И. Власенко. УФЖ 43, 2, 207 (1998).
- Е.Ф. Венгер, М. Грендел, В. Данишка, Р.В. Конакова, И.В. Прокопенко, Ю.А. Тхорик, Л.С. Хазан. Структурная релаксация в полупроводниковых кристаллах и приборных структурах. Феникс, Киев (1994). 248 с
- R.K. Sharma, B.B. Sharma. Ind. J. Phys. A 70, 4, 350 (1987)
- Ю.А. Тхорик, Л.С. Хазан. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. Наук. думка, Киев (1983). 304 с
- А.И. Власенко, З.К. Власенко, И.В. Курило, И.Е. Лопатинский, И.А. Рудый, А.В. Ляшенко. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника 39, 51 (2004)
- Л.Н. Александров. Кинетика кристаллизации и перекристаллизации полупроводниковых пленок. Наука, Новосибирск (1985). 224 с
- С.С. Горелик, М.Я. Дашевский. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. Металлургия, М. (1988). 576 с
- Р.А. Павлов, И.И. Лакуста, К.М. Поливанова. Физическая электроника. Вища шк., Львов (1992). В. 42. 77 с
- R.N. Andrews, S.D. Walck, M.W. Price, F.R. Szofran, C.-H. Su, S.L. Lehoczky. J. Cryst. Growth 99, 1--2, 717 (1990)
- M. Schenk, A. Fissel. J. Cryst. Growth 86, 1--4, 502 (1988)
- S. Cole, M. Brown, A.F.W. Willoughby. J. Mater. Sci. 17, 7, 2061 (1982)
- И.В. Курило, И.М. Спитковский, А.Д. Шнейдер. Изв. вузов. Физика 9, 130 (1974)
- И.В. Курило, В.П. Алехин, С.И. Булычев. Физико-механические свойства теллуридов кадмия, ртути и их твердых растворов. Препринт. Ин-т металлургии им. А.А. Байкова АН СССР, М. (1982). 92 с
- Е.А. Балагурова, Э.Н. Хабаров. Изв. вузов 7, 133 (1976)
- А.И. Власенко, З.К. Власенко. ФТП 33, 3, 277 (1999)
- А.И. Власенко, З.К. Власенко, С.В. Свечников, Д.Т. Таращенко. УФЖ 47, 7, 664 (2002).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
