Вышедшие номера
Резонансные трехмерные фотонные кристаллы
Ивченко Е.Л.1, Поддубный А.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 мая 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.

Развита теория экситон-поляритонной зонной структуры резонансного трехмерного фотонного кристалла при произвольном диэлектрическом контрасте и произвольной эффективной массе экситона, который возбуждается в одном из композиционных материалов. Расчет проводился для периодического массива полупроводниковых шариков, помещенных в диэлектрическую матрицу. Показано, что положение нижних ветвей поляритонной дисперсии монотонно зависит от экситонной эффективной массы и определяется взаимодействием света с первыми несколькими состояниями механического экситона, размерно квантованного внутри каждого шарика. Рассмотрено влияние экситонных состояний на запрещенную зону фотонного кристалла в направлении [001], допускающее аналитическое описание в рамках двухволнового приближения. Работа поддержана Министерством науки и образования РФ и Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 05-02-16372). PACS: 42.70.Qs, 71.35.-y