Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Морфология стабилизированных естественных граней твердого раствора CdS1-xSex
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Institute of Surface Modification, Leipzig, Germany
4Leipzig University, Leipzig, Germany
5Osaka City University, Sugimoto-cho, Sumiyshi-ku, 558 Osaka, Japan
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Institute of Surface Modification, Leipzig, Germany
4Leipzig University, Leipzig, Germany
5Osaka City University, Sugimoto-cho, Sumiyshi-ku, 558 Osaka, Japan
Email: N.Grigorieva@pobox.spbu.ru
Поступила в редакцию: 1 июля 2005 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2006 г.
Исследована морфология экспонированных на воздухе при комнатной температуре стабилизированных поверхностей кристаллов CdS1-xSex методом атомно-силовой микроскопии. Описаны наиболее характерные особенности рельефа естественных граней данных кристаллов. Кратко обсуждены причины возникновения этих особенностей. Исследования морфологии сопоставлены с исследованиями поверхностных микро- и наноструктур методом микрокатодолюминесценции, выявившим объекты, которые вносят вклад в экситонное излучение и, следовательно, являются твердыми растворами CdS1-xSex. PACS: 68.37.Ps, 68.35.Bs
- J. Vaitkus, R. Baubunas, M. Hammav, M. Gothelid, M. Bjorgvist, E. Lindberg. J. Crystal Growth 138, 545 (1994)
- J.L. Merz, S. Lee, J.K. Furdyna. J. Crystal Growth 184/185, 228 (1998)
- А.В. Анкудинов, М.С. Дунаевский, В.А. Марущак, А.Н. Титков, С.В. Иванов, С.В. Сорокин, Т.В. Шубина, П.С. Копьев, A. Baar, Г. Ландвер. ФТТ, 42, 1874 (2000)
- J.B. Smathers, E. Kneedler, B.R. Bennet, B.T. Jonker. Appl. Phys. Lett. 72, 1238 (1998)
- X.B. Zhang, S.K. Hark. Appl. Phys. Lett. 74, 3857 (1999)
- D. Martrou, P. Gentiele, N. Magnea. J. Crystal Growth 201/202, 101 (1999)
- Huajie Chen, R.M. Feenstra, R.S. Goldman, C.S. Silveniuus, G. Lamdgren. Appl. Phys. Lett. 72, 1727 (1998)
- Н.Н. Колесников, В.В. Кведер, R.B. James, Д.Н. Борисенко, М.П. Кулаков, Н.С. Берзигияров. Тез. докл. VI Рос. конф. по физике полупроводников. Санкт-Петербург (2003). С. 153
- Н.Р. Григорьева, Р.В. Григорьев, Е.П. Денисов, Б.А. Казеннов, Б.В. Новиков, Д.Л. Федоров. ФТТ 42, 1570 (2000)
- B.V. Novikov, N.R. Grigorieva, B.A. Kazennov, G. Wagner, R. Schwabe, J. Lenzner. J. Crystal Growth 233, 68 (2001)
- Ch. Guerret-Piecourt, Ch. Fontaine, A. Ponchet. J. Crystal Growth 201/202, 178 (1999)
- L. Marsal, H. Mariette, Y. Samson, J.L. Rouviere, E. Picard. Appl. Phys. Lett. 73, 2974 (1998)
- В.Г. Талалаев, Б.В. Новиков, С.Ю. Вербин, А.Б. Новиков, Динь Шон Тхак, Г. Гобш, Р. Гольдхан, Н. Штейн, А. Голомбек, Г.Э. Цырлин, В.Н. Петров, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров. ФТП 34, 467 (2000)
- В.П. Евтихиев, В.Е. Токранов, А.К. Крыжановский, А.М. Бойко, Р.А. Сурис, А.Н. Титков, А. Накамура, М. Ичида. ФТП 32, 860 (1998)
- Г.В. Астахов, В.П. Кочерешко, Д.Г. Васильев, В.П. Евтихиев, В.Е. Токранов, И.В. Кудряшов, Г.В. Михайлов. ФТП 33, 1084 (1999)
- B.V. Novikov, N.R. Grigorieva, R.V. Grigoriev, B.A. Kazennov, G. Wagner, R. Schwabe, J. Lenzner. Phys. Stat. Sol. (b) 229, 69 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
