Вышедшие номера
Электронная энергетическая структура и рентгеновские спектры кристаллов GaN и BxGa1-xN
Илясов В.В.1, Жданова Т.П.1, Никифоров И.Я.1
1Донской государственный технический университет, Ростов-на-Дону, Россия
Email: viily@mail.ru
Поступила в редакцию: 5 сентября 2005 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2006 г.

Электронная энергетическая структура GaN в вюрцитной и сфалеритной модификациях и твердых растворов BxGa1-xN рассчитана методом локального когерентного потенциала с использованием кластерной версии МТ-приближения в рамках теории многократного рассеяния. Проведено сравнение электронной структуры бинарных кристаллов GaN и тройных растворов BxGa1-xN и дана интерпретация их особенностей. Изучены концентрационные зависимости ширин верхней подзоны валентной полосы, полосы запрещенных энергий и модуля всестороннего сжатия в твердых растворах BxGa1-xN (x=0.25, 0.5, 0.75) от содержания бора и показан нелинейный характер этих зависимостей. PACS: 71.20.Nr, 62.20.Dc