В слоистых монокристаллах TlGaSe₂ изучены температурные зависимости проводимости вдоль и поперек слоев в широкой области температур от 10 до 293 K. Показано, что в области низких температур в монокристаллах TlGaSe₂ как вдоль, так и поперек слоев имеет место прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка по локализованным состояниям вблизи уровня Ферми. Вдоль слоев монокристаллов прыжковая проводимость становится преобладающей над проводимостью по разрешенной зоне только при очень низких температурах (10-30 K), в то время как поперек слоев прыжковая проводимость наблюдается при довольно высоких температурах (T=< 210 K) и охватывает более широкий температурный диапазон. Определены плотность состояний вблизи уровня Ферми N_F=1.3·10¹⁹ (eV·cm³)^-1, разброс по энергии этих состояний J=0.011 eV, расстояния прыжков при различных температурах. Вдоль слоев монокристаллов TlGaSe₂ расстояние прыжков R с уменьшением температуры от 30 до 10 K увеличивалось от 130 до 170 Angstrem. Изучена температурная зависимость степени анизотропии проводимости монокристаллов TlGaSe₂.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.